Полупроводникови материали и структури за наноелектрониката

Към края на миналия век, микроелектрониката достигна своите максимални възможности в области като бързодействие, интеграция, разсейвана мощност и скорост на обработка и предаване на данни. Основните материали за микроелектроника и свързаната с нея оптоелектроника включваха силиций, германий и бинарни полупроводникови съединения (АЗВ5, А2В6, А4В6), за производството на които бяха разработени специализирани технологии. Техните електрофизични характеристики определяха качествата на приборите, изградени върху тях. Въпреки това, чрез взаимната разтворимост между четвърта група полупроводници и различните бинарни съединения се получиха твърди разтвори с променящи се електрофизични свойства в зависимост от техния състав. Те послужиха като основа за наноелектрониката и позволиха разработването на нови класове устройства с уникални характеристики.

Настоящата книга разглежда свойствата на полупроводниковите твърди разтвори, основните технологични методи за тяхното производство и представяне на иновационни полупроводникови прибори, които не могат да бъдат произведени от традиционните материали в микроелектрониката. Включени са оригинални технологични и физически изследвания от автора и неговия екип, които са били пионерски в страната ни и проведени паралелно със значими научни колективи зад граница.